企业简介
昆山中辰矽晶有限公司 main business:许可经营项目：一般经营项目： and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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昆山中辰矽晶有限公司的工商信息
- 320583400019978
- 913205837168402245
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(外国法人独资)
- 1999年08月17日
- 姚宕梁
- 2500.000000
- 1999年08月17日 至 2052年10月15日
- 昆山市市场监督管理局
- 2016年12月22日
- 江苏省昆山开发区高科技工业园汉浦路303号
- 生产加工硅晶圆、硅晶粒等硅晶产品及微电子技术产品；高级整流器、变阻器、热电子元件等产品；销售自产产品；从事与本企业生产的同类产品及蓝宝石晶片的商业批发、佣金代理（拍卖除外）、进出口业务；电子科技领域内的技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
昆山中辰矽晶有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | sstwafer.com | www.sstwafer.com |
昆山中辰矽晶有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103194802B | 晶棒表面之调质方法及其晶棒 | 2016.12.14 | 一种晶棒表面之调质方法，包含以下步骤：步骤一：提供一晶棒，并以一盖体罩盖该晶棒；步骤二：利用一加热单 |
| 2 | CN106206250A | 晶圆制作方法 | 2016.12.07 | 本发明提供一种晶圆制作方法，所述方法包含在晶棒表面上形成纳米柱；在晶棒的表面形成覆盖层以覆盖纳米柱； |
| 3 | CN102820386B | 磊晶基板的制造方法、发光二极体及其制造方法 | 2017.01.25 | 本发明公开了一种磊晶基板的制作方法，其步骤包含：①在一基材表面形成一屏蔽层，并配合使用一光罩对该屏蔽 |
| 4 | CN104909824B | 坩埚隔绝层的制造方法及其所应用的喷涂装置 | 2017.01.25 | 本发明提供一种坩埚隔绝层的制造方法及其所应用的喷涂装置，所述方法包括如下步骤：提供喷涂装置，以供下述 |
| 5 | CN103021830B | 晶片加工方法 | 2016.09.07 | 本发明提供一种晶片加工方法，可用以提升晶片的强度，其中，晶片具有多个表面并且这些表面包含具有最大面积 |
| 6 | CN103199166B | 发光二极管基板及其制造方法与发光二极管 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种发光二极管基板及其制造方法与发光二级管，其中的发光二极管基板的一面具有经一第一处理程 |
| 7 | CN103094379B | 太阳能电池 | 2016.06.22 | 一种太阳能电池，包含硅晶圆以及射极部。硅晶圆包含多个硅晶粒，且具有第一导电形态。射极部具有第二导电形 |
| 8 | CN103137520B | 半导体晶片气蚀装置 | 2016.02.17 | 本发明公开一种半导体晶片气蚀装置，设有基座和气蚀罩，气蚀罩能够密封罩于基座上构成密闭空间，基座上设有 |
| 9 | CN105321815A | 边缘氧化层剥除装置及晶圆边缘氧化层的剥除方法 | 2016.02.10 | 本发明提供一种边缘氧化层剥除装置及边缘氧化层的剥除方法，所述装置包含剥除器本体及气罩，剥除器本体包含 |
| 10 | CN105318834A | 可携式测量治具模组 | 2016.02.10 | 本发明提供一种可携式测量治具模组，其电气连接一处理单元，以测量待测物的倒角，可携式测量治具模组包含治 |
| 11 | CN105019031A | 晶体生长炉的搅拌装置 | 2015.11.04 | 本发明提供一种晶体生长炉的搅拌装置，包含一转轴及至少一个叶片。所述叶片设置在所述转轴上，所述叶片包括 |
| 12 | CN201667344U | 氮化镓系发光二极体结构 | 2010.12.08 | 本创作系揭露一种氮化镓系发光二极体结构，其包括基板、第一型掺杂半导体层、发光层、第二型掺杂半导体层、 |
| 13 | CN103137414B | 半导体晶片蚀刻设备 | 2015.09.23 | 本发明公开一种半导体晶片蚀刻设备，主要由供料装置、收料装置、蚀刻装置、控制装置和若干伺服机械手构成， |
| 14 | CN104909824A | 坩埚隔绝层的制造方法及其所应用的喷涂装置 | 2015.09.16 | 本发明提供一种坩埚隔绝层的制造方法及其所应用的喷涂装置，所述方法包括如下步骤：提供喷涂装置，以供下述 |
| 15 | CN102790152B | 磊晶基材及其制造方法 | 2015.09.09 | 本发明公开了一种磊晶基材及其制造方法，本发明的磊晶基材的磊晶表面为纳米尺度高低不平且非图案化的表面， |
| 16 | CN103381625B | 切片装置及使用该切片装置的芯片制造方法 | 2015.08.26 | 本发明公开了一种切片装置及使用该切片装置的芯片制造方法，该晶棒单元包含至少一柱体状的切片部及两位于该 |
| 17 | CN104790031A | 坩埚组合及利用该坩埚组合制造硅晶铸锭的方法 | 2015.07.22 | 一种坩埚组合以及利用该坩埚组合制造硅晶铸锭的方法。本发明的坩埚组合包含坩埚主体以及纤维编织体。纤维编 |
| 18 | CN104775151A | 长晶系统及石英盖板 | 2015.07.15 | 本发明提供一种长晶系统及一种石英盖板，所述石英盖板适于容置在盛装硅熔汤的坩埚内，石英盖板包括平贴部与 |
| 19 | CN103088418B | 硅晶铸锭及其制造方法 | 2015.07.08 | 本发明公开了一种硅晶铸锭及其制造方法，通过控制热场参数、成核点密布坩埚底部等方法，来大量降低大尺寸硅 |
| 20 | CN102732969B | 晶棒表面纳米化制程及其晶圆制造方法 | 2015.07.08 | 一种晶棒表面纳米化制程，系在晶棒进行切片步骤之前，先针对晶棒之至少一表面进行一表面处理步骤，以于该表 |
| 21 | CN104726933A | 用于晶碇铸造炉的冷却装置及铸造晶碇的方法 | 2015.06.24 | 本发明提供一种用于晶碇铸造炉的冷却装置及铸造晶碇的方法，所述晶碇铸造炉包括有一坩埚，所述坩埚供放置晶 |
| 22 | CN102925957B | 长晶装置 | 2015.06.17 | 本发明公开了一种长晶装置，包含坩埚，以及位于坩埚外侧且对坩埚加热形成热场的热场供应器，坩埚包括具有开 |
| 23 | CN102950660B | 线切割装置的主轮结构、其制作方法及线切割装置 | 2015.04.08 | 本发明公开了一种线切割装置的主轮结构、其制作方法及线切割装置，主要是采用由出线端向入线端进行切割加工 |
| 24 | CN103088405B | 硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭 | 2015.04.08 | 本发明公开了一种硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭，是利用一硅晶种层并基于一方向性凝固制程，来制造硅晶铸锭， |
| 25 | CN102738248B | 光电组件及其制造方法 | 2015.03.18 | 本发明提供一种光电组件及其制造方法。根据本发明之光电组件包含一半导体结构组合、形成在该半导体结构组合 |
| 26 | CN102569025B | 磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光元件及其制程 | 2014.12.24 | 本发明提供一种磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光元件及其制造方法。根据本发明之磊基板包含一晶体基板 |
| 27 | CN103381625A | 切片装置及使用该切片装置的芯片制造方法 | 2013.11.06 | 本发明公开了一种切片装置及使用该切片装置的芯片制造方法，该晶棒单元包含至少一柱体状的切片部及两位于该 |
| 28 | CN103255475A | 包含成核促进颗粒的硅晶铸锭及其制造方法 | 2013.08.21 | 本发明涉及一种硅晶铸锭及其制造方法。所述制造方法利用多个成核促进颗粒，让一硅熔汤中多个硅晶粒在多个成 |
| 29 | CN103243384A | 晶体成长测量补偿系统及其方法 | 2013.08.14 | 本发明提供一种晶体成长测量补偿系统，其包含：一控制单元，其储存有一预定晶体成长数据；一耦接于所述控制 |
| 30 | CN103194802A | 晶棒表面之调质方法及其晶棒 | 2013.07.10 | 一种晶棒表面之调质方法，包含以下步骤：步骤一：提供一晶棒，并以一盖体罩盖该晶棒；步骤二：利用一加热单 |
| 31 | CN103199165A | 发光二极管基板及其加工方法与发光二级管 | 2013.07.10 | 本发明公开了一种发光二极管基板及其加工方法与发光二级管，利用至少一湿式蚀刻制程对一蓝宝石基板进行蚀刻 |
| 32 | CN103199166A | 发光二极管基板及其制造方法与发光二级管 | 2013.07.10 | 本发明公开了一种发光二极管基板及其制造方法与发光二级管，其中的发光二极管基板的一面具有经一第一处理程 |
| 33 | CN103160930A | 晶棒表面纳米化工艺、晶圆制造方法及其晶圆 | 2013.06.19 | 一种晶棒表面纳米化工艺，是在晶棒进行切片步骤之前，先针对晶棒的至少一表面进行一表面处理步骤，以及在所 |
| 34 | CN103137414A | 半导体晶片蚀刻设备 | 2013.06.05 | 本发明公开一种半导体晶片蚀刻设备，主要由供料装置、收料装置、蚀刻装置、控制装置和若干伺服机械手构成， |
| 35 | CN103137520A | 半导体晶片气蚀装置 | 2013.06.05 | 本发明公开一种半导体晶片气蚀装置，设有基座和气蚀罩，气蚀罩能够密封罩于基座上构成密闭空间，基座上设有 |
| 36 | CN103088418A | 硅晶铸锭及其制造方法 | 2013.05.08 | 本发明公开了一种硅晶铸锭及其制造方法，通过控制热场参数、成核点密布坩埚底部等方法，来大量降低大尺寸硅 |
| 37 | CN103094379A | 太阳能电池 | 2013.05.08 | 一种太阳能电池，包含硅晶圆以及射极部。硅晶圆包含多个硅晶粒，且具有第一导电形态。射极部具有第二导电形 |
| 38 | CN103088405A | 硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭 | 2013.05.08 | 本发明公开了一种硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭，是利用一硅晶种层并基于一方向性凝固制程，来制造硅晶铸锭， |
| 39 | CN103088420A | 硅晶铸锭及从其制成的硅晶圆 | 2013.05.08 | 本发明提供一种硅晶铸锭及从其制成的硅晶圆。本发明所述的硅晶铸锭包含底部以及垂直方向。特别地，本发明所 |
| 40 | CN103088403A | 硅晶铸锭的制造方法 | 2013.05.08 | 本发明涉及一种硅晶铸锭的制造方法，本发明所述的制造方法利用成核促进层，让多个硅晶粒从硅熔汤中在成核促 |
| 41 | CN103021830A | 晶片加工方法 | 2013.04.03 | 本发明提供一种晶片加工方法，可用以提升晶片的强度，其中，晶片具有多个表面并且这些表面包含具有最大面积 |
| 42 | CN102950660A | 线切割装置的主轮结构、其制作方法及线切割装置 | 2013.03.06 | 本发明公开了一种线切割装置的主轮结构、其制作方法及线切割装置，主要是采用由出线端向入线端进行切割加工 |
| 43 | CN102925957A | 长晶装置 | 2013.02.13 | 本发明公开了一种长晶装置，包含坩埚，以及位于坩埚外侧且对坩埚加热形成热场的热场供应器，坩埚包括具有开 |
| 44 | CN202695399U | 晶片分片器 | 2013.01.23 | 本实用新型涉及晶片制造辅助工具技术领域，提出一种晶片分片器，在其底座上设置分片板，通过分片板上的分片 |
| 45 | CN102054907B | 氮化镓系化合物半导体的制造方法 | 2013.01.23 | 本发明系提供一种氮化镓系化合物半导体的制造方法，特别是在氧化锌系半导体层之上，经由沾湿层及氮化此沾湿 |
| 46 | CN202607856U | 力量监控装置 | 2012.12.19 | 一种力量监控装置，包含：一第一板体，其具有相对的一第一接触面及一第二接触面，该第一接触面系接触于该晶 |
| 47 | CN102820386A | 磊晶基板的制造方法、发光二极体及其制造方法 | 2012.12.12 | 本发明公开了一种磊晶基板的制作方法，其步骤包含：①在一基材表面形成一屏蔽层，并配合使用一光罩对该屏蔽 |
| 48 | CN202601713U | 发光二极体基板与发光二极体 | 2012.12.12 | 一种发光二极体基板与发光二极体，其中的发光二极管基体的一面具有多个由湿式蚀刻形成的突起结构，且每一突 |
| 49 | CN102790152A | 磊晶基材及其制造方法 | 2012.11.21 | 本发明公开了一种磊晶基材及其制造方法，本发明的磊晶基材的磊晶表面为纳米尺度高低不平且非图案化的表面， |
| 50 | CN102738248A | 光电组件及其制造方法 | 2012.10.17 | 本发明提供一种光电组件及其制造方法。根据本发明之光电组件包含一半导体结构组合、形成在该半导体结构组合 |
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